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参数资料
| 型号： | MT46V32M8BG-6AT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, LEAD FREE,PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 15/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
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PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
20
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Electrical Specifications – DC and AC
Figure 10:
Input Voltage Waveform
Notes:
1. VOH (MIN) with test load is 1.927V.
2. VOL (MAX) with test load is 0.373V.
3. Numbers in diagram reflect nominal values utilizing circuit below for all devices other than
-5B.
0.940V
1.100V
1.200V
1.225V
1.250V
1.275V
1.300V
1.400V
1.560V
VIL(AC)
VIL(DC)
VREF - AC noise
VREF - DC error
VREF + DC error
VREF + AC noise
Receiver
Transmitter
VIH(DC)
VIH(AC)
VOH (MIN) (1.670V1 for SSTL_2 termination)
VIN(AC) - provides margin
between VOL (MAX)
and VIL(AC)
VssQ
VDDQ (2.3V MIN)
VOL (MAX) (0.83V2 for SSTL_2
termination)
System noise margin (power/ground,
crosstalk, signal integrity attenuation)
Reference
point
25
Ω
25
Ω
VTT
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