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参数资料
| 型号： | MT46V32M8BG-6AT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, LEAD FREE,PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 66/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页当前第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
67
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Operations
Figure 32:
READ-to-WRITE
Notes:
1. Page remains open.
2. DO n = data-out from column n; DI b = data-in from column b.
3. BL = 4 (applies for bursts of 8 as well; if BL = 2, the BURST command shown can be NOP).
4. One subsequent element of data-out appears in the programmed order following DO n.
5. Data-in elements are applied following DI b in the programmed order.
6. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
READ
BST
1
NOP
Bank,
Col n
WRITE
Bank,
Col b
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T5n
t
(NOM)
DQSS
DI
b
READ
BST1
NOP
WRITE
NOP
Bank a,
Col n
NOP
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
T5n
DO
n
DO
n
t
(NOM)
DQSS
READ
NOP
Bank,
Col n
WRITE
Bank,
Col b
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T5n
t
(NOM)
DQSS
DI
b
DO
n
NOP
CL = 2.5
CL = 2
T3n
CL = 3
DI
b
BST
1
Command
Address
DQS
DQ
CK#
CK
Command
Address
DQS
DQ
CK#
CK
Command
Address
DQS
DQ
CK#
CK
Transitioning Data
Don’t Care
DM
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PDF描述 |
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| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
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