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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 20/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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February 25, 2004 S71JLxxxHxx_00A1
27
Pre l i m i n a r y
Look-ahead Connection Diagram
Note: To provide customers with a migration path to higher densities and an option to stack more die in a package,
FASL has prepared a standard pinout that supports
NOR Flash and SRAM densities up to 4 Gigabits
NOR Flash and pSRAM densities up to 4 Gigabits
J4
J5
J6
J7
J8
J2
H7
H8
H9
G7
G8
G9
F7
F8
F9
E7
E8
E9
D5
K2
K3
D6
D7
CE#f1
J3
OE#
CE1#s1
DQ0
D2
D3
C2
C3
AVD#
VSSds
WP#
A7
A8
WE#
WP#/ACC
LB#s
C4
C5
C6
C7
D8
D9
CE1#ds
A11
C8
C9
RY/BY#ds
CLKds
RESET#ds
VCCds
CE#f2
CLK
A15
A12
A19
A21
A13
A9
A22
A14
A10
A16
A24
DQ6
H6
G6
F6
CE2s1
A20
A23
CE2s2
H4
H5
G4
G5
F4
F5
E5
RESET#f
UB#s
RY/BY#
A18
CE1#s2
A17
VCCs2
DQ1
CREs
DQ15
DQ13
DQ4
DQ3
DQ9
K4
K5
K7
K8
K9
DQ7
VCCs1
VCCf
DQ10
H2
H3
G2
G3
F2
F3
E2
E3
A6
A3
A5
A2
A4
A1
VSS
A0
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L2
L3
M2
M3
VCCds
DQ8
A27
A26
VSS
DQ12
LOCK
or WP#/ACCds
DQ14
DQ5
A25
DQ11
DQ2
M4
M5
M6
M7
M8
M9
VCCQds
VCCQs1
CE2#ds
VCCf
or VCCQf
VSSnds
TEST
N10
NC
N1
NC
Legend:
K5
K6
D4
B2
NC
A2
NC
B1
A1
NC
B9
NC
A9
NC
B10
NC
A10
NC
P9
NC
N9
NC
P10
NC
N2
NC
P1
NC
P2
NC
J2
E4
E6
ds = Data storage only
f = Flash shared only
f1 = 1st Flash only
f2 = 2nd Flash only
NC = Outrigger balls
s = RAM shared
s1 = 1st RAM only
s2 = 2nd RAM only
96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array
(Top View, Balls Facing Down)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71JL064H80BAI020 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71WS512NC0BAWEK2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEK3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032J80BJWRA | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0BJWRT | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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