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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 90/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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February 25, 2004 S71JLxxxHxx_00A1
16 Mb SRAM (supplier 1)
97
Pre l i m i n a r y
DC Characteristics
Recommended DC Operating Conditions (Note 1)
Notes:
1. TA = -40 to 85°C, otherwise specified.
2. Overshoot: Vcc+2.0V in case of pulse width ≤20ns.
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width ≤20ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Capacitance (f=1MHz, TA=25°C)
Note: Capacitance is sampled, not 100% tested
DC Operating Characteristics
Note: Typical values are measured at VCC=2.0V, TA=25°C and not 100% tested.
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
VCC
2.7
3.0
3.3
V
Ground
VSS
0
V
Input high voltage
VIH
2.2
-
V
Input low voltage
VIL
-0.2 (Note 3)
-
0.6
V
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input capacitance
CIN
VIN=0V
-
8
pF
Input/Output capacitance
CIO
VIO=0V
-
10
pF
Item
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
(Note)
Max
Unit
Input leakage current
ILI
VIN=VSS to VCC
-1
-
1
A
Output leakage current
ILO
CE1#=VIH, CS2=VIL or OE#=VIH or WE#=VIL or
LB#=UB#=VIH, VIO=VSS to VCC
-1
-
1
A
Average operating current
ICC1
Cycle time=1s, 100% duty, IIO=0mA, CE1#≤0.2V,
LB#≤0.2V and/or UB#≤0.2V, CS2≥VCC-0.2V,
VIN≤0.2V or VIN≥VCC-0.2V
-
5
A
ICC2
Cycle time=Min, IIO=0mA, 100% duty,
CE1#=VIL, CS2=VIH, LB#=VIL and/or
UB#=VIL, VIN=VIL or VIH
70ns
-
30
mA
Output low voltage
VOL
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
Output high voltage
VOH
IOH = -1.0mA
2.4
-
V
Standby Current (CMOS)
ISB1
Other input = 0-VCC
1. CE1#≥VCC-0.2V, CS2≥VCC-0.2V (CE1# controlled) or
2. 0V≥CS2≤0.2V (CS2 controlled)
-
-5.0
25
A
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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