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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 74/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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76
S29JL064H
S71JLxxxHxx_00A1 February 25, 2004
Pr el i m i n ary
Test Conditions
Switching Waveforms
Note: Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 12.
Test Setup
Table 14. Test Specifications
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, CL
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement reference levels
1.5
V
Output timing measurement reference levels
1.5
V
Table 15. Key To Switching Waveforms
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
2.7 k
CL
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
3.0 V
0.0 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 13. Input Waveforms and Measurement Levels
Tbl 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71JL064H80BAI020 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71WS512NC0BAWEK2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEK3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032J80BJWRA | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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