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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 91/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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98
16 Mb SRAM (supplier 1)
S71JLxxxHxx_00A1 February 25, 2004
Pr el i m i n ary
AC Characteristics
Read/Write Charcteristics (VCC=2.7-3.3V)
Data Retention Characteristics
Notes:
1. CE1#≤VCC-0.2, CS2≤VCC-0.2V (CE1# controlled) or 0≤CS2-0.2V (CS2 controlled)
2. Typical values are measured at TA=26°C and not 100% tested.
Parameter List
Symbol
Min
Max
Units
Re
ad
Read cycle time
tRC
70
-
ns
Address access time
tAA
-
70
ns
Chip select to output
tCO1, tCO2
-
70
ns
Output enable to valid output
tOE
-
35
ns
LB#, UB# valid to data output
tBA
-
70
ns
Chip select to low-Z output
tLZ1, tLZ2
10
-
ns
Output enable to low-Z output
tOLZ
5
-
ns
LB#, UB# enable to low-Z output
tBLZ
10
-
ns
Output hold from address change
tOH
10
-
ns
Chip disable to high-Z output
tHZ1, tHZ2
0
25
ns
OE# disable to high-Z output
tOHZ
0
25
ns
UB#, LB# disable to high-Z output
tBHZ
0
25
ns
Wr
ite
Write cycle time
tWC
70
-
ns
Chip select to end of write
tCW1, tCW2
60
-
ns
Address set-up time
tAS
0
-
ns
Address valid to end of write
tAW
60
-
ns
Write pulse width
tWP
50
-
ns
Write recovery time
tWR
0
-
ns
Write to output high-Z
tWHZ
0
20
ns
Data to write time overlap
tDW
30
-
ns
Data hold from write time
tDH
0
-
ns
End write to output low-Z
tOW
5
-
ns
LB#, UB# valid to end of write
tBW
60
-
ns
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VCC for data retention
VDR
1.5
-
3.3
V
Data retention current
IDR
VIN≥0V
-
1.0
15
A
Data retention set-up time
tSDR
See data retention waveform
0
-
ns
Recovery time
tRDR
tRC
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71JL064H80BAI020 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71WS512NC0BAWEK2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEK3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032J80BJWRA | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0BJWRT | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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