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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 92/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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February 25, 2004 S71JLxxxHxx_00A1
16 Mb SRAM (supplier 1)
99
Pre l i m i n a r y
Timing Diagrams
Figure 35. Timing Waveform of Read Cycle(1) (address controlled, CD#1=OE#=VIL, CS2=WE#=VIH, UB#
and/or LB#=VIL)
Notes:
1. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced
to output voltage levels.
2. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from
device to device interconnection.
Figure 36. Timing Waveform of Read Cycle(2) (WE#=VIH)
Address
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
tAA
tRC
tOH
Data Valid
High-Z
tRC
Address
Data out
tOH
tAA
tCO1
tBA
tOE
tOLZ
tBLZ
tLZ
tOHZ
tBHZ
tHZ
CS2
tCO2
CS1#
UB#, LB#
OE#
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71JL064H80BAI020 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71WS512NC0BAWEK2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEK3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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