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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 79/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页当前第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页
80
S29JL064H
S71JLxxxHxx_00A1 February 25, 2004
Pr el i m i n ary
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
70
85
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
85
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
30
40
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
30
40
45
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
25
30
35
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
25
30
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
5
s
Word
Typ
7
tWHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
4
s
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
tVCS
Min
50
s
tRB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71JL064H80BAI020 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71WS512NC0BAWEK2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEK3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032J80BJWRA | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0BJWRT | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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