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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 22/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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February 25, 2004 S71JLxxxHxx_00A1
29
Pre l i m i n a r y
Ordering Information
The order number (Valid Combination) is formed by the following:
Valid Combinations
Valid Combinations list configurations planned to be supported in volume for this device.
Consult the local sales office to confirm availability of specific valid combinations and to
check on newly released combinations.
S71
J
L 064 H A 0 B A W 00
0
PACKING TYPE
0= Tray
2= 7” Tape & Reel
3
= 13” Tape & Reel
Additional ordering options
See Product Selector Guide
TEMPERATURE (and RELIABILITY) GRADE
E
= Engineering Samples
W
= Wireless (-25
°C to +85°C)
I= Industrial (-40
°C to +85°C)
PACKAGE MATERIAL SET (BGA Package Type)
A
= Standard (Pb-free compliant) Package
F
= Lead (Pb)-free Package
PACKAGE TYPE
B= BGA Package
CHIP CONTENTS—2
0
= No second content
CHIP CONTENTS—1
8= 8 Mb
A
= 16 Mb
B
= 32 Mb
C
= 64 Mb
Spansion FLASH MEMORY PROCESS TECHNOLOGY
(Highest-density Flash described in Characters 4-8)
H
= 130 nm Floating Gate Technology
BASE NOR FLASH DENSITY
064
= one S29JL064H
128
= two S29JL064H
BASE NOR FLASH CORE VOLTAGE
L= 3-volt VCC
BASE NOR FLASH INTERFACE and SIMULTANEOUS READ/
WRITE
J
= Simultaneous Read/Write
PRODUCT FAMILY
71
= Flash Base + xRAM.
PREFIX
S= Spansion
Valid Combinations
Flash Access
Time (ns)
(p)SRAM Access
Time (ns)
Temperature
Range
Supplier
Order Number
Package Marking
S71JL064H80BAI01
71JL064H80BAI01
70
-40C to +85C
Supplier 1
S71JL064H80BAI02
71JL064H80BAI02
85
-40C to +85C
Supplier 1
S71JL064H80BAI10
71JL064H80BAI10
55
-40C to +85C
Supplier 2
S71JL064H80BAI11
71JL064H80BAI11
70
-40C to +85C
Supplier 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71JL064H80BAI020 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| S71WS512NC0BAWEK2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEK3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS512NC0BAWEN2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032J80BJWRA | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71NS032JA0BJWRT | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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