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参数资料
| 型号： | S71JL064H80BFI122 |
| 厂商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封装： | 11.60 X 8 MM, FBGA-73 |
| 文件页数： | 72/95页 |
| 文件大小： | 2244K |
| 代理商： | S71JL064H80BFI122 |
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74
S29JL064H
S71JLxxxHxx_00A1 February 25, 2004
Pr el i m i n ary
DC Characteristics
Notes:
1. The ICC current listed is typically less than 2 mA/MHz, with OE# at VIH.
2. Maximum ICC specifications are tested with VCC = VCCmax.
3. ICC active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
4. Automatic sleep mode enables the low power mode when addresses remain stable for tACC + 30 ns. Typical sleep
mode current is 200 nA.
5. Not 100% tested.
Table 13. CMOS Compatible
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Load Current
VIN = VSS to VCC,
VCC = VCC max
±1.0
A
ILIT
OE# and RESET# Input Load
Current
VCC = VCC max, OE# = VIH;
OE# or RESET# = 12.5 V
35
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT = VSS to VCC,
VCC = VCC max, OE# = VIH
±1.0
A
ILR
Reset Leakage Current
VCC = VCC max; RESET# =
12.5 V
35
A
ICC1
VCC Active Read Current
CE# = VIL, OE# = VIH,
Byte Mode
5 MHz
10
16
mA
1 MHz
2
4
CE# = VIL, OE# =
VIH, Word Mode
5 MHz
10
16
1 MHz
2
4
ICC2
CE# = VIL, OE# = VIH, WE# = VIL
15
30
mA
ICC3
CE#, RESET# = VCC ± 0.3 V
0.2
5
A
ICC4
RESET# = VSS ± 0.3 V
0.2
5
A
ICC5
VIL = VSS ± 0.3 V
0.2
5
A
ICC6
VCC Active Read-While-Program
Current (Notes 1, 2)
CE# = VIL, OE# = VIH
Byte
21
45
mA
Word
21
45
ICC7
VCC Active Read-While-Erase
Current (Notes 1, 2)
CE# = VIL, OE# = VIH
Byte
21
45
mA
Word
21
45
ICC8
VCC Active Program-While-Erase-
CE# = VIL, OE# = VIH
17
35
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
0.7 x VCC
VCC + 0.3
V
VHH
Voltage for WP#/ACC Sector
Protect/Unprotect and Program
Acceleration
VCC = 3.0 V ± 10%
8.5
9.5
V
VID
Voltage for Autoselect and
Temporary Sector Unprotect
VCC = 3.0 V ± 10%
11.5
12.5
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 2.0 mA, VCC = VCC min
0.45
V
VOH1
Output High Voltage
IOH = –2.0 mA, VCC = VCC min
0.85 VCC
V
VOH2
IOH = –100 A, VCC = VCC min
VCC–0.4
VLKO
2.3
2.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71KL512SC0BHV000 | 功能描述:IC 512MB FLASH 64MB DRAM 24FBGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperFlash? + HyperRAM? KL 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:多芯（FLASH/RAM） 存储器类型:FLASH + DRAM 存储容量:512Mbit Flash, 64Mbit RAM 速度:100MHz 接口:并联，串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标准包装:338 |
| S71NS032J80 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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