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参数资料
| 型号： | MT48LC1M16A1S |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件页数： | 40/51页 |
| 文件大小： | 1480K |
| 代理商： | MT48LC1M16A1S |
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16Mb: x16 SDRAM
16MSDRAMx16.p65
–
Rev. 8/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
40
16Mb: x16
SDRAM
READ – WITHOUT AUTO PRECHARGE
1
BANK 0 and 1
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CAS Latency
DQM
3
CKE
CLK
A0-A9
DQ
BA
A10
tOH
D
OUT
m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK(S)
BANK
ROW
ROW
BANK
tHZ
tOH
D
OUT
m
+3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
D
OUT
m
+2
D
OUT
m
+1
COMMAND
tCMH
tCMS
PRECHARGE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
DISABLE AUTO PRECHARGE
BANK 0 or 1
DON
’
T CARE
UNDEFINED
(A0 - A7)
m
2
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
TIMING PARAMETERS
-6
-7
-8A
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
MIN
MAX
5.5
8
18
MIN
MAX
5.5
8.5
22
MIN
MAX
6
9
22
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
2
1
2
1
2
3
3
8
13
25
1
2
2.5
2.5
6
8
20
1
2
2.75
2.75
7
10
25
1
2
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
1
2
1
2
1
2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5.5
8
18
5.5
8.5
22
6
9
22
1
2
42
60
18
18
1
2
42
70
20
21
1
2.5
48
80
24
24
120,000
120,000
120,000
*CAS latency indicated in parentheses.
-6
-7
-8A
SYMBOL*
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, the CAS latency = 2, and the READ burst is followed by a
“
manual
”
PRECHARGE.
2. A8 and A9 =
“
Don
’
t Care.
”
3. DQM represents DQML and DQMH. DQML controls the lower byte, and DQMH controls the upper byte.
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PDF描述 |
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