参数资料
| 型号： | IP-FFT |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 55/70页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IP FFT/IFFT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 类型： | MegaCore |
| 功能： | 快速傅里叶变换处理器 |
| 许可证： | 初始许可证 |
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Chapter 3: Functional Description
3–13
I/O Data Flow Architectures
Burst
The burst I/O data flow architecture operates similarly to the buffered burst
architecture, except that the burst architecture requires even lower memory resources
for a given parameterization at the expense of reduced average throughput.
source_valid and sink_ready indicate, to the system data sources and slave sinks
either side of the FFT, when the FFT can accept a new block of data and when a valid
output block is available on the FFT output.
Figure 3–14. FFT Burst Data Flow Architecture Simulation Waveform
clk
reset_n
sink_valid
sink_ready
sink_sop
sink_eop
inverse
sink_real
sink_imag
source_real
source_imag
-47729
-47729
271
271
source_exp
EXP0
EXP1
EXP2
source_ready
source_valid
source_sop
source_eop
In a burst I/O data flow architecture, the core can process a single input block only.
There is a small FIFO buffer at the sink of the block and sink_ready is not deasserted
until this FIFO buffer is full. Thus you can provide a small number of additional input
samples associated with the subsequent input block. It is not mandatory to provide
data to the FFT during sink_ready cycles. The burst architecture can load the rest of
the subsequent FFT frame only when the previous transform has been fully unloaded.
November 2013
Altera Corporation
FFT MegaCore Function
User Guide
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IP-FIR | IP FIR COMPILER |
| IP-NCO | IP NCO COMPILER |
| IP-NIOS | IP NIOS II MEGACORE |
| IP-PCI/MT64 | IP PCI 64BIT MASTER/TARGET |
| IP-PCIE/8 | IP PCI EXPRESS, X8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPFH6N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPFH6N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IP-FIR | 功能描述:开发软件 FIR Compiler MegaCore RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 产品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| IP-FIRII | 功能描述:开发软件 FIR Compiler II MegaCore RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 产品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| IPFLBPT2 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:IL 35MM MUSH P-P PL 22MM RED |
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