参数资料
| 型号： | IP-FFT |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 64/70页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IP FFT/IFFT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 类型： | MegaCore |
| 功能： | 快速傅里叶变换处理器 |
| 许可证： | 初始许可证 |
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A–4
Appendix A: Block Floating Point Scaling
Achieving Unity Gain in an IFFT+FFT Pair
Because this example has 27 bits of full scale resolution and 16 bits of output
resolution, choose the bottom 16 bits to maintain unity gain relative to the input
signal. Choosing the LSBs is not the only solution or the correct one for all cases. The
choice depends on which signal levels are important. One way to empirically select
the proper range is by simulating test cases that implement expected system data. The
output of the simulations must tell what range of bits to use as the output register. If
the full scale data is not used (or just the MSBs), you must saturate the data to avoid
wraparound problems.
Figure A–1. Scaling of Input Data Sample = 0x5000
Achieving Unity Gain in an IFFT+FFT Pair
Given sufficiently high precision, such as with floating-point arithmetic, it is
theoretically possible to obtain unity gain when an IFFT and FFT are cascaded.
However, in BFP arithmetic, special attention must be paid to the exponent values of
the IFFT/FFT blocks to achieve the unity gain. This section explains the steps required
to derive a unity gain output from an Altera IFFT/FFT MegaCore pair, using BFP
arithmetic.
Because BFP arithmetic does not provide an input for the exponent, you must keep
track of the exponent from the IFFT block if you are feeding the output to the FFT
block immediately thereafter and divide by N at the end to acquire the original signal
magnitude.
November 2013 Altera Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IP-FIR | IP FIR COMPILER |
| IP-NCO | IP NCO COMPILER |
| IP-NIOS | IP NIOS II MEGACORE |
| IP-PCI/MT64 | IP PCI 64BIT MASTER/TARGET |
| IP-PCIE/8 | IP PCI EXPRESS, X8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPFH6N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPFH6N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IP-FIR | 功能描述:开发软件 FIR Compiler MegaCore RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 产品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| IP-FIRII | 功能描述:开发软件 FIR Compiler II MegaCore RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 产品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| IPFLBPT2 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:IL 35MM MUSH P-P PL 22MM RED |
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