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参数资料
| 型号： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件页数： | 44/72页 |
| 文件大小： | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页当前第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Software algorithms
9.5
Error correction code
The user must implement an error correction code (ECC) to identify and correct errors in the
data stored in the NAND flash memories. For every 2048 bits in the device, the
implementation of 22 bits of ECC (16 bits for line parity plus 6 bits for column parity) is
required.
Figure 23.
Error detection
New ECC generated
during read
XOR previous ECC
with new ECC
All results
= zero?
22 bit data = 0
YES
11 bit data = 1
NO
1 bit data = 1
Correctable
Error
ECC Error
No Error
ai08332
>1 bit
= zero?
YES
NO
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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