参数资料
型号: NAND08GW3B2CZL1F
厂商: NUMONYX
元件分类: PROM
英文描述: 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
封装: 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52
文件页数: 66/72页
文件大小: 1919K
代理商: NAND08GW3B2CZL1F
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Package mechanical
Figure 46.
LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package outline
1.
Drawing is not to scale.
E1
E2
D1
D2
eb2
LGA-9G
BALL "A1"
E
D
b1
e
eE1
A2
A
ddd
FD
FD1
FE
FE1
Table 33.
LGA52 12 x 17 mm, 1 mm pitch, package mechanical data
Symbol
Millimeters
Inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
0.65
0.026
A2
0.65
0.026
b1
0.70
0.65
0.75
0.028
0.026
0.029
b2
1.00
0.95
1.05
0.039
0.037
0.041
D
12.00
11.90
12.10
0.472
0.468
0.476
D1
6.00
0.236
D2
10.00
0.394
ddd
0.10
0.004
E
17.00
16.90
17.10
0.669
0.665
0.673
E1
12.00
0.472
E2
13.00
0.512
e1.00
0.039
eE1
2.00
0.079
FD
3.00
0.118
FD1
1.00
0.039
FE
2.50
0.098
FE1
2.00
0.079
相关PDF资料
PDF描述
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND256R4A0DN6T 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND08GW3B4BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND08GW3B4BN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND08GW3B4CN1F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND08GW3B4CZL6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND08GW3C2AE01 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel