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参数资料
| 型号： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件页数： | 63/72页 |
| 文件大小： | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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DC and AC parameters
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
12.1
Ready/busy signal electrical characteristics
signal. The value required for the resistor RP can be calculated using the following equation:
This is an example for 3 V devices:
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the ready/busy signal. RP
max is determined by the maximum value of tr.
Figure 41.
Ready/busy AC waveform
Figure 42.
Ready/busy load circuit
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
-------------------------------------------------------------
=
R
P
min
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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