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参数资料
| 型号： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件页数： | 72/72页 |
| 文件大小： | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Description
Figure 1.
Logic block diagram
1.
The NAND08G-B4C devices have two separate sets of signals for each 4-Gbit die.
Figure 2.
Logic diagram
1.
The NAND08G-B4C devices have two separate sets of signals for each 4-Gbit die.
Address
Register/Counter
Command
Interface
Logic
P/E/R Controller,
High Voltage
Generator
WP
I/O Buffers & Latches
E
W
AI13166b
R
Y Decoder
Page Buffer
NAND Flash
Memory Array
X
Decoder
I/O0-I/O7 (x8/x16)
I/O8-I/O15 (x16)
Command Register
CL
AL
Cache Register
RB
AI13167b
W
VDD
NAND FLASH
E
VSS
WP
AL
CL
RB
R
I/O0-I/O7 (x8/x16)
I/O8-I/O15 (x16)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3C2AE01 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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