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参数资料
| 型号： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件页数： | 48/72页 |
| 文件大小： | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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DC and AC parameters
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
12
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the devices. The parameters in the following DC and AC characteristics
tables are derived from tests performed under the measurement conditions summarized in
Table 26. Designers should check that the operating conditions in their circuit match the
measurement conditions when relying on the quoted parameters.
Table 26.
Operating and AC measurement conditions
Parameter
NAND flash
Units
Min
Max
Supply voltage (VDD)
1.8 V device
1.7
1.95
V
3.0 V device
2.7
3.6
Ambient temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
Load capacitance (CL) (1 TTL GATE
and CL)
1.8 V device
30
pF
3.0 V device
50
Input pulses voltages
0
VDD
V
Input and output timing ref. voltages
VDD/2
V
Output circuit resistor Rref
8.35
k
Input rise and fall times
5
ns
Table 27.
Capacitance(1)
1.
TA = 25 °C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input capacitance
VIN = 0 V
10
pF
CI/O
Input/output
capacitance(2)
2.
Input/output capacitances double in stacked devices.
VIL = 0 V
10
pF
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