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参数资料
| 型号： | W9725G6IB-18 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 25/69页 |
| 文件大小： | 1644K |
| 代理商： | W9725G6IB-18 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页
PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 31 -
Revision P04
8. OPERATION MODE
8.1. Command Truth Table
CKE
COMMAND
Previous
Cycle
Current
Cycle
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9-A0
CS
RAS
CAS
WE
NOTES
Bank Activate
H
BA
Row Address
L
H
1,2
Single Bank
Precharge
H
BA
X
L
X
L
H
L
1,2
Precharge All
Banks
H
X
H
X
L
H
L
1
Write
H
BA
Column
L
Column
L
H
L
1,2,3
Write with Auto-
precharge
H
BA
Column
H
Column
L
H
L
1,2,3
Read
H
BA
Column
L
Column
L
H
L
H
1,2,3
Read with Auto-
precharge
H
BA
Column
H
Column
L
H
L
H
1,2,3
(Extended)
Mode Register
Set
H
BA
OP Code
L
1,2
No Operation
H
X
L
H
1
Device Deselect
H
X
H
X
1
Refresh
H
X
L
H
1
Self Refresh
Entry
H
L
X
L
H
1,4
H
X
Self Refresh Exit
L
H
X
L
H
1,4,5
H
X
Power Down
Mode Entry
H
L
X
L
H
1,6
H
X
Power Down
Mode Exit
L
H
X
L
H
1,6
Note:
1. All DDR2 SDRAM commands are defined by states of CS , RAS , CAS , WE and CKE at the rising edge of the clock.
2. Bank addresses BA[1:0] determine which bank is to be operated upon. For (E)MRS BA selects an (Extended) Mode Register.
3. Burst reads or writes at BL = 4 can not be terminated or interrupted. See Burst Interrupt in Chapter 7.5 for details.
4. VREF must be maintained during Self Refresh operation.
5. Self Refresh Exit is asynchronous.
6. The Power Down does not perform any refresh operations. The duration of Power Down Mode is therefore limited by the
refresh requirements outlined in Chapter 7.9.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WS128K32-35G2TMEA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-55G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W9725G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9725G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:512MB DDRII |
| W9725G6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| W9725G6KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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