收藏本站
参数资料
型号： W9725G6IB-18
厂商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84
封装： 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84
文件页数： 37/69页
文件大小： 1644K
代理商： W9725G6IB-18
PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 42 -
Revision P04
9.10. IDD Measurement Test Parameters
SPEED GRADE
DDR2-1066
(-18)
DDR2-800
(-25)
DDR2-667
(-3)
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
6-6-6
5-5-5
UNIT
CL(IDD)
7
6
5
tCK
tCK(IDD)
1.875
2.5
3
nS
tRCD(IDD)
13.125
15
nS
tRP(IDD)
13.125
15
nS
tRC(IDD)
58.125
60
nS
tRASmin(IDD)
45
nS
tRASmax(IDD)
70000
nS
tRRD(IDD)-1KB
7.5
nS
tFAW(IDD)-1KB
35
37.5
nS
tRFC(IDD)
75
nS
相关PDF资料
PDF描述
W9864G6EB-7 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60
WE128K8200CQ 128K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CDIP32
WED9LC6816V1512BI SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
WS128K32-35G2TMEA 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68
WS128K32-55G2TIE 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68
相关代理商/技术参数
参数描述
W9725G6IB-25 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR)
W9725G6JB 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W9725G6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:512MB DDRII
W9725G6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
W9725G6KB-18 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*