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参数资料
| 型号： | W9725G6IB-18 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 38/69页 |
| 文件大小： | 1644K |
| 代理商： | W9725G6IB-18 |
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PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 43 -
Revision P04
9.11.
AC Characteristics
9.11.1. AC Characteristics and Operating Condition for -18 speed grade
SPEED GRADE
DDR2-1066 (-18)
UNIT
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
tCK
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
NOTES
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
13.125
nS
tRP
Precharge to Active Command Period
13.125
nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
58.125
nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
45
70000
nS
tRFC
Auto Refresh to Active/Auto Refresh command period
75
nS
1
0°C
≦ TCASE ≦ 85°C
7.8
S
1
tREFI
Average periodic
refresh Interval
85°C
≦ TCASE ≦ 95°C
3.9
S
1,2
tCCD
Read/Write(a) to Read/Write(b) Command Period
2
tCK
tCK @ CL=4
3.75
7.5
tCK @ CL=5
3
7.5
tCK @ CL=6
2.5
7.5
tCK
Clock Cycle Time
tCK @ CL=7
1.875
7.5
nS
tCH
CLK, CLK high-level width
0.48
0.52
tCK
tCL
CLK, CLK low-level width
0.48
0.52
tCK
tHP
Clock half pulse width
Min. (tCH, tCL)
3
tAC
DQ output access time from CLK/ CLK
-350
350
pS
tCKE
CKE minimum high and low pulse width
3
tCK
4
tRRD
Active to active command period for 1KB page size
7.5
nS
5
tFAW
Four Activate Window for 1KB page size
35
nS
tWR
Write recovery time
15
nS
tDAL
Auto-precharge write recovery + precharge time
WR + tRP
tCK
6
tWTR
Internal Write to Read command delay
7.5
nS
7
tRTP
Internal Read to Precharge command delay
7.5
nS
8
tIS (base)
Address and control input setup time
125
pS
tIH (base)
Address and control input hold time
200
pS
tIPW
Address and control input pulse width for each input
0.6
tCK
tDQSS
DQS latching rising transitions to associated clock edges
-0.25
0.25
tCK
tDSS
DQS falling edge to CLK setup time
0.2
tCK
tDSH
DQS falling edge hold time from CLK
0.2
tCK
tDQSH
DQS input high pulse width
0.35
tCK
tDQSL
DQS input low pulse width
0.35
tCK
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