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参数资料
| 型号： | W9725G6IB-18 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 32/69页 |
| 文件大小： | 1644K |
| 代理商： | W9725G6IB-18 |
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PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 38 -
Revision P04
9.4. ODT DC Electrical Characteristics
(0
℃ ≤ TCASE ≤ 85℃ for -18/-25/-3, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER/CONDITION
SYM.
MIN.
NOM.
MAX.
UNIT
NOTES
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=0,1; 75
Rtt1(eff)
60
75
90
Ω
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,0; 150
Rtt2(eff)
120
150
180
Ω
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,1; 50
Rtt3(eff)
40
50
60
Ω
1, 2
Deviation of VM with respect to VDDQ/2
ΔVM
-6
+6
%
1
Note:
1. Test condition for Rtt measurements.
2. Optional for DDR2-667.
Measurement Definition for Rtt(eff):
Apply VIH (ac) and VIL (ac) to test pin separately, then measure current I(VIH (ac)) and I(VIL (ac))
respectively. VIH (ac), VIL (ac), and VDDQ values defined in SSTL_18.
Rtt(eff) = (VIH(ac) – VIL(ac)) /(I(VIHac) – I(VILac))
Measurement Definition for
Δ
ΔVM:
Measure voltage (VM) at test pin (midpoint) with no load.
ΔVM = ((2 x Vm / VDDQ) – 1) x 100%
9.5. Input DC Logic Level
(0
℃ ≤ TCASE ≤ 85℃ for -18/-25/-3, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
DC input logic HIGH
VIH(dc)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input logic LOW
VIL(dc)
-0.3
VREF - 0.125
V
9.6. Input AC Logic Level
(0
℃ ≤ TCASE ≤ 85℃ for -18/-25/-3, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
-18
-25/-3
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
AC input logic HIGH
VIH (ac)
VREF + 0.200
VREF + 0.200
VDDQ + VPEAK
V
AC input logic LOW
VIL (ac)
VREF - 0.200
VSSQ - VPEAK
VREF - 0.200
V
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