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参数资料
| 型号： | W9725G6IB-18 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 45/69页 |
| 文件大小： | 1644K |
| 代理商： | W9725G6IB-18 |
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PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 5 -
Revision P04
3. KEY PARAMETERS
SPEED GRADE
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
6-6-6
5-5-5
SYM.
PARAMETER
-18
-25
-3
Min.
1.875 nS
@CL = 7
Max.
7.5 nS
Min.
2. 5 nS
2.5 nS
@CL = 6
Max.
7.5 nS
8 nS
Min.
3 nS
@CL = 5
Max.
7.5 nS
8 nS
Min.
3.75 nS
@CL = 4
Max.
7.5 nS
8 nS
Min.
5 nS
tCK
Clock Cycle Time
@CL = 3
Max.
8 nS
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
Min.
13.125 nS
15 nS
tRP
Precharge to Active Command Period
Min.
13.125 nS
15 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
58.125 nS
60 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
45 nS
IDD0
Operating current
Max.
120 mA
100 mA
95 mA
IDD1
Operation current (Single bank)
Max.
130 mA
110 mA
100 mA
IDD2Q
Precharge quiet standby current
Max.
55 mA
45 mA
42 mA
IDD4R
Operating burst read current
Max.
195 mA
155 mA
135 mA
IDD4W
Operating burst write current
Max.
220 mA
170 mA
150 mA
IDD5B
Burst refresh current
Max.
165 mA
145 mA
135 mA
IDD6
Self refresh current
Max.
4 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W9725G6KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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