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参数资料
| 型号： | W9725G6IB-18 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 5/69页 |
| 文件大小： | 1644K |
| 代理商： | W9725G6IB-18 |
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PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 13 -
Revision P04
7.2.2.3. Extend Mode Register Set Command (2), EMR (2)
(
CS = "L", RAS = "L", CAS = "L", WE = "L", BA0 = "L", BA1 = "H", A0 to A12 = Register data)
The extended mode register (2) controls refresh related features. The default value of the extended
mode register (2) is not defined, therefore the extended mode register (2) must be programmed during
initialization for proper operation.
The DDR2 SDRAM should be in all bank precharge state with CKE already high prior to writing into
the extended mode register (2). The mode register set command cycle time (tMRD) must be satisfied to
complete the write operation to the extended mode register (2). Mode register contents can be
changed using the same command and clock cycle requirements during normal operation as long as
all banks are in the precharge state.
BA1
BA0 A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
1
0
SELF
0*
1
Address Field
Extended Mode Register (2)
High Temperature
Self Refresh Rate Enable
Disable
Enable (Optional)
A7
0
1
0*
1
Note:
1. The rest bits in EMR (2) is reserved for future use and all bits in EMR (2) except A7, BA0 and BA1 must be programmed to 0
when setting the extended mode register (2) during initialization. When DRAM is operated at 85 °C ≤ TCASE < 95 °C the
extended Self Refresh rate must be enabled by setting bit A7 to "1" before the Self Refresh mode can be entered.
Figure 4
—
—EMR (2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9864G6EB-7 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| WE128K8200CQ | 128K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CDIP32 |
| WED9LC6816V1512BI | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| WS128K32-35G2TMEA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
| WS128K32-55G2TIE | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W9725G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9725G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:512MB DDRII |
| W9725G6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| W9725G6KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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