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参数资料
| 型号： | W9725G6IB-18 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 59/69页 |
| 文件大小： | 1644K |
| 代理商： | W9725G6IB-18 |
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PRELIMINARY W9725G6IB
Publication Release Date:Nov. 14, 2008
- 62 -
Revision P04
10.22. Burst write operation followed by precharge: WL = (RL-1) = 4
NOP
Posted CAS
WRITE A
Precharge
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
T9
WL = 4
Completion of the Burst Write
≧tWR
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
10.23. Burst read operation with Auto-precharge: RL=4 (AL=1, CL=3, BL=8, tRTP
≦
2clks)
NOP
Bank A
Activate
NOP
Post CAS
READA
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
T8
≧
≧ tRTP
AL + BL/2 clks
≧
≧ tRP
AL = 1
CL = 3
RL = 4
Dout A0 Dout A1Dout A2Dout A3 Dout A4 Dout A5 Dout A6Dout A7
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
tRTP
Precharge begins here
A10 = 1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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