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参数资料
| 型号： | W9725G8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 25/86页 |
| 文件大小： | 1462K |
| 代理商： | W9725G8JB-25I |
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W9725G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 31 -
Revision A01
8.
OPERATION MODE
8.1
Command Truth Table
COMMAND
CKE
BA1
BA0
A12
A11
A10
A9-A0
CS
RAS
CAS
WE
NOTES
Previous
Cycle
Current
Cycle
Bank Activate
H
BA
Row Address
L
H
1, 2
Single Bank
Precharge
H
BA
X
L
X
L
H
L
1, 2
Precharge All
Banks
H
X
H
X
L
H
L
1
Write
H
BA
Column
L
Column
L
H
L
1, 2, 3
Write with
Auto-precharge
H
BA
Column
H
Column
L
H
L
1, 2, 3
Read
H
BA
Column
L
Column
L
H
L
H
1, 2, 3
Read with
Auto-precharge
H
BA
Column
H
Column
L
H
L
H
1, 2, 3
(Extended)
Mode Register
Set
H
BA
OP Code
L
1, 2
No Operation
H
X
L
H
1
Device
Deselect
H
X
H
X
1
Refresh
H
X
L
H
1
Self Refresh
Entry
H
L
X
L
H
1, 4
Self Refresh
Exit
L
H
X
H
X
1, 4, 5
L
H
Power Down
Mode Entry
H
L
X
H
X
1, 6
L
H
Power Down
Mode Exit
L
H
X
H
X
1, 6
L
H
Notes:
1. All DDR2 SDRAM commands are defined by states of CS , RAS , CAS , WE and CKE at the rising edge of the clock.
2. Bank addresses BA [1:0] determine which bank is to be operated upon. For (E)MRS BA selects an (Extended) Mode Register.
3. Burst reads or writes at BL = 4 can not be terminated or interrupted. See Burst Interrupt in section 7.5 for details.
4. VREF must be maintained during Self Refresh operation.
5. Self Refresh Exit is asynchronous.
6. The Power Down does not perform any refresh operations. The duration of Power Down Mode is therefore limited by the
refresh requirements outlined in section 7.9.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| W972GG8JB-18 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| W9751G6JB-18 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| W981204AH-8H | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| W981216BH75L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G8JB25ITR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8, IND TEMP |
| W9725G8JB25TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
| W9725G8KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
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