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参数资料
| 型号： | W9725G8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 70/86页 |
| 文件大小： | 1462K |
| 代理商： | W9725G8JB-25I |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页当前第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页
W9725G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 72 -
Revision A01
10.9 Data input (write) timing
VIH(ac)
VIL(ac)
D
VIH(dc)
VIL(dc)
VIH(dc)
VIL(dc)
DMin
tDS
VIH(ac)
VIL(ac)
tWPRE
tDQSH
tDQSL
DQS
tWPST
tDS
tDH
DMin
DQS
DQ
DM
DQS
10.10 Burst write operation: RL=5 (AL=2, CL=3, WL=4, BL=4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tn
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
tDQSS
tDSS
Completion of
The Burst Write
NOP
Posted CAS
WRITE A
tDQSS
tDSH
tDQSS
≥ tWR
Precharge
CLK
CMD
DQS
DQs
Case 1: with tDQSS(max)
Case 2: with tDQSS(min)
WL = RL – 1= 4
tDSH
DQS
CLK
DQS
≥ tWR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| W9751G6JB-18 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| W981204AH-8H | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| W981216BH75L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G8JB25ITR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8, IND TEMP |
| W9725G8JB25TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
| W9725G8KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
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