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参数资料
| 型号： | W9725G8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 27/86页 |
| 文件大小： | 1462K |
| 代理商： | W9725G8JB-25I |
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W9725G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 33 -
Revision A01
8.4
Function Truth Table
CURRENT
STATE
CS
RAS
CAS
WE
ADDRESS
COMMAND
ACTION
NOTES
Idle
H
X
DSL
NOP or Power down
L
H
X
NOP
NOP or Power down
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
H
BA, RA
ACT
Row activating
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
Precharge/ Precharge all banks
L
H
X
AREF/SELF
Auto Refresh or Self Refresh
2
L
Op-Code
MRS/EMRS
Mode/Extended register
accessing
2
Banks
Active
H
X
DSL
NOP
L
H
X
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Begin read
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Begin write
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
Precharge/ Precharge all banks
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
Read
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Burst interrupt
1, 3
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
ILLEGAL
1
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
Write
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Burst interrupt
1, 3
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
H
L
BA, A10
PRE/PREA
ILLEGAL
1
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| W972GG8JB-18 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W9725G8JB25TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
| W9725G8KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
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