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参数资料
| 型号： | W9725G8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 63/86页 |
| 文件大小： | 1462K |
| 代理商： | W9725G8JB-25I |
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W9725G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 66 -
Revision A01
9.14 AC Overshoot / Undershoot Specification
9.14.1 AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins:
Applies to A0-A12, BA0-BA1, /CS, /RAS, /CAS, /WE, CKE, ODT
PARAMETER
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
UNIT
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.9
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.9
V
Maximum overshoot area above VDD
0.5
0.66
0.8
V-nS
Maximum undershoot area below VSS
0.5
0.66
0.8
V-nS
9.14.2 AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask pins:
Applies to DQ, DQS, /DQS, RDQS, /RDQS, DM, CLK, /CL K
PARAMETER
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
UNIT
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.9
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.9
V
Maximum overshoot area above VDDQ
0.19
0.23
V-nS
Maximum undershoot area below VSSQ
0.19
0.23
V-nS
Maximum Amplitude
Overshoot Area
Undershoot Area
VDD/VDDQ
Volts (V)
Time (nS)
VSS/VSSQ
Figure 29
– AC overshoot and undershoot definition
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
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| W9751G6JB-18 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| W981204AH-8H | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| W981216BH75L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G8JB25ITR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8, IND TEMP |
| W9725G8JB25TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
| W9725G8KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
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