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参数资料
| 型号： | W9725G8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 76/86页 |
| 文件大小： | 1462K |
| 代理商： | W9725G8JB-25I |
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W9725G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 78 -
Revision A01
10.20 Burst read operation followed by precharge: RL=4 (AL=0, CL=4, BL=8, tRTP
> 2clks)
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
NOP
Precharge
NOP
Post CAS
READ A
Bank A
Activate
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
T8
Dout
A5
Dout
A6
Dout
A7
Dout
A4
CL = 4
RL = 4
≥ tRAS
≥ tRTP
AL + BL/2 + max(RTP, 2) - 2 clks
≥ tRP
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
AL = 0
10.21 Burst write operation followed by precharge: WL = (RL-1) = 3
NOP
Post CAS
WRITE A
Precharge
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
T8
WL = 3
Completion of the Burst Write
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
≥ tWR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25I | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| W972GG8JB-18 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| W9751G6JB-18 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| W981204AH-8H | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| W981216BH75L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G8JB25ITR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8, IND TEMP |
| W9725G8JB25TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
| W9725G8KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G8KB-25 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X8 |
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