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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-25 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 64/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 400MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Burst WRITE Command
Figure 41: Burst WRITE Followed by Burst READ – RL = 3, WL = 1, BL = 4
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK#
CK
WL = 1
RL = 3
CA[9:0]
Bank m
col addr a
Col addr a
Bank n
col addr b
Col addr b
t WTR
CMD
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
DQS#
DQS
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
Transitioning data
Notes:
1. The minimum number of clock cycles from the burst WRITE command to the burst READ
command for any bank is [WL + 1 + BL/2 + RU( t WTR/ t CK)].
2. t WTR starts at the rising edge of the clock after the last valid input data.
3. If a WRITE burst is truncated with a BST command, the effective burst length of the
truncated WRITE burst should be used as BL to calculate the minimum WRITE-to-READ
delay.
Figure 42: Seamless Burst WRITE – WL = 1, BL = 4, t CCD = 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK#
CK
WL = 1
CA[9:0]
Bank m
col addr a
Col addr a
Bank n
col addr b
Col addr b
t CCD
=2
CMD
WRITE
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQS#
DQS
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
D IN B0
D IN B1
D IN B2
D IN B3
Transitioning data
Note:
1. The seamless burst WRITE operation is supported by enabling a WRITE command every
other clock for BL = 4 operation, every four clocks for BL = 8 operation, or every eight
clocks for BL = 16 operation. This operation is supported for any activated bank.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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