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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-25 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 77/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 400MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
REFRESH Command
Figure 53: Regular Distributed Refresh Pattern
t REFI
t REFI
0ms
t REFBW
t REFBW
32ms
64ms
96ms
Notes:
1. Compared to repetitive burst REFRESH with subsequent REFRESH pause.
2. As an example, in a 1Gb LPDDR2 device at T C ≤ 85?C, the distributed refresh pattern has
one REFRESH command per 7.8 μ s; the burst refresh pattern has one REFRESH command
per 0.52 μ s, followed by ≈ 30ms without any REFRESH command.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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