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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-25 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 72/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 400MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
PRECHARGE Command
Following an auto precharge operation, an ACTIVATE command can be issued to the
same bank if the following two conditions are satisfied simultaneously:
? The RAS precharge time ( t RP) has been satisfied from the clock at which the auto pre-
charge begins.
? The RAS cycle time ( t RC) from the previous bank activation has been satisfied.
Figure 51: READ Burst with Auto Precharge – RL = 3, BL = 4, RU( t RTP(MIN)/ t CK) = 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CK#
CK
BL/2
RL = 3
CA[9:0]
Bankm
col addr a
Col addr a
Bankm
row addr
Row addr
t RTP
t RPpb
CMD
READ w/AP
NOP
NOP
NOP
NOP
ACTIVATE
NOP
NOP
NOP
DQS#
DQS
DQ
D OUT A0
D OUT A1
D OUT A2
D OUT A3
Transitioning data
WRITE Burst with Auto Precharge
If AP (CA0f) is HIGH when a WRITE command is issued, the WRITE with auto precharge
function is engaged. The device starts an auto precharge at the clock rising edge t WR
cycles after the completion of the burst WRITE.
Following a WRITE with auto precharge, an ACTIVATE command can be issued to the
same bank if the following two conditions are met:
? The RAS precharge time ( t RP) has been satisfied from the clock at which the auto pre-
charge begins.
? The RAS cycle time ( t RC) from the previous bank activation has been satisfied.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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