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参数资料
| 型号： | MT46V32M16BN-5BLIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 20/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16BN-5BLIT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
27
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 18: READ to WRITE
NOTE:
1. DO n = data-out from column n.
2. DI b = data-in from column b.
3. Burst length = 4 in the cases shown (applies for bursts of 8 as well; if the burst length is 2, the BST command shown can
be NOP).
4. One subsequent element of data-out appears in the programmed order following DO n.
5. Data-in elements are applied following DI b in the programmed order.
6. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
7. BST = BURST TERMINATE command, page remains open.
CK
CK#
COMMAND
READ
BST7
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
WRITE
Bank,
Col b
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T5n
DQ
DQS
DM
t
(NOM)
DQSS
DI
b
CK
CK#
COMMAND
READ
BST7
NOP
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col n
NOP
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
T5n
DQ
DQS
DO
n
DM
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
DO
n
t
(NOM)
DQSS
CK
CK#
COMMAND
READ
BST7
NOP
ADDRESS
Bank,
Col n
WRITE
Bank,
Col b
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T5n
DQ
DQS
DM
t
(NOM)
DQSS
DI
b
DO
n
NOP
CL = 2.5
CL = 2
T3n
CL = 3
DI
b
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