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参数资料
| 型号： | MT46V32M16BN-5BLIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 76/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16BN-5BLIT |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
78
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 51: Bank Write - Without Auto Precharge
NOTE:
1. DIn = data-in. from column n; subsequent elements are provided in the programmed order.
2. Burst length = 4 in the case shown.
3. Disable auto precharge.
4. “Don’t Care” if A10 is HIGH at T8.
5. PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address.
6. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
RA
tRCD
tRAS
tRP
tWR
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6
T7
T8
T4n
NOP6
COMMAND5
3
ACT
RA
Col n
WRITE2
NOP6
ONE BANK
ALL BANKS
Bank x
PRE
Bank x
NOP6
tDQSL tDQSH tWPST
Bank x4
DQ1
DQS
DM
DI
b
tDS
tDH
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tDQSS (NOM)
tWPRE
tWPRES
x8: A12
x16: A11, A12
x4: A0–A9, A11, A12
x8: A0–A9, A11
x16: A0–A9
-5B
-6/-6T
-75E/75Z
-75
SYMBOL MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
tCH
0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55
0.45
0.55
tCK
tCL
0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55
0.45
0.55
tCK
tCK (3)
5
7.5
NANANANA
NA
ns
tCK (2.5)
6
13
6
13
7.5
13
7.5
13
ns
tCK (2)
7.5
13
7.5
13
7.5
13
10
13
ns
tIH
F
.75
.90
ns
tIS
F
.75
.90
ns
tIH
S
.75
0.8
1
ns
tIS
S
.75
0.8
1
ns
tMRD
101515
15
ns
tRFC
707275
75
ns
tRP
15
20
ns
tVTD
000
0
ns
-5B
-6/-6T
-75E/75Z
-75
SYMBOL MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS
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