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参数资料
| 型号： | MT46V32M16BN-5BLIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 31/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16BN-5BLIT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
37
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 28: WRITE to PRECHARGE – Uninterrupting
NOTE:
1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4. tWR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. The PRECHARGE and WRITE commands are to the same device. However, the PRECHARGE and WRITE commands may be
to different devices, in which case tWR is not required and the PRECHARGE command could be applied earlier.
6. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
7. PRE = PRECHARGE command.
tDQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
PRE7
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col b
Bank,
(a or all)
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T1n
T6
tWR
tRP
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS (MIN)
DQ
DQS
DM
DI
b
tDQSS (MAX)
DQ
DQS
DM
DI
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tDQSS
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PDF描述 |
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