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参数资料
| 型号： | MT46V32M16BN-5BLIT |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 42/82页 |
| 文件大小： | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16BN-5BLIT |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
47
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Table 11:
DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (-5B DDR400)
0°C
≤ T
A ≤ +70°C; VDDQ = +2.6V ±0.1V, VDD = +2.6V ±0.1V
PARAMETER/CONDITION
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Supply Voltage
VDD
2.4
2.7
V
I/O Supply Voltage
VDDQ
2.4
2.7
V
I/O Reference Voltage
VREF
0.49 x VDDQ
0.51 x VDDQV
I/O Termination Voltage (system)
VTT
VREF - 0.04
VREF + 0.04
Input High (Logic 1) Voltage
VIH(DC)VREF + 0.15
VDD + 0.3
Input Low (Logic 0) Voltage
VIL(DC)
-0.3
VREF - 0.15
INPUT LEAKAGE CURRENT
Any input 0V
≤ VIN ≤ VDD, VREF PIN 0V ≤ VIN ≤ 1.35V
(All other pins not under test = 0V)
II
-2
2
A
OUTPUT LEAKAGE CURRENT
(DQs are disabled; 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ)
IOZ
-5
5
A
OUTPUT LEVELS: Full drive option - x4, x8, x16
High Current (VOUT = VDDQ - 0.373V, minimum VREF,
minimum VTT)
IOH
-16.8
-
mA
Low Current (VOUT = 0.373V, maximum VREF,
maximum VTT)
IOL
16.8
-
mA
OUTPUT LEVELS: Reduced drive option - x16 only
High Current (VOUT = VDDQ - 0.763V, minimum VREF,
minimum VTT)
IOHR
-9
-
mA
Low Current (VOUT = 0.763V, maximum VREF,
maximum VTT)
IOLR
9-
mA
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