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参数资料
| 型号： | MT48V4M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件页数： | 20/61页 |
| 文件大小： | 1400K |
| 代理商： | MT48V4M32LFFC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
20
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
ADVANCE
Figure 8
Random READ Accesses
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
NOP
COL
n
DON’T CARE
D
OUT
n
D
OUT
a
D
OUT
x
D
OUT
m
READ
NOTE:
Each READ command may be to either bank. DQM is LOW.
READ
READ
NOP
COL
a
COL
x
BANK,
m
CLK
DQ
D
OUT
n
T2
T1
T4
T3
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL
n
D
OUT
a
D
OUT
x
D
OUT
m
READ
READ
READ
NOP
BANK,
COL
a
BANK,
COL
x
BANK,
COL
m
CLK
DQ
D
OUT
n
T2
T1
T4
T3
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL
n
D
OUT
a
D
OUT
x
D
OUT
m
READ
READ
READ
BANK,
COL
a
BANK,
COL
x
BANK,
COL
m
CAS Latency = 1
CAS Latency = 2
CAS Latency = 3
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PDF描述 |
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