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参数资料
| 型号： | MT48V4M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件页数： | 47/61页 |
| 文件大小： | 1400K |
| 代理商： | MT48V4M32LFFC |
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47
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
ADVANCE
NOTE:
1. For this example, the burst length = 1, the CAS latency = 2, and the READ burst is followed by a “manual”
PRECHARGE.
2. x16: A9 and A11 = “Don’t Care”
x32: A8, A9,and A11 = “Don’t Care”
3. PRECHARGE command not allowed or
t
RAS would be violated.
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
MIN
1
2.5
MAX
MIN
1
2.5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
7
8
19
22
1
1
2.5
48
80
20
20
2.5
50
100
20
20
120,000
120,000
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
MIN
MAX
7
8
19
MIN
MAX
7
8
22
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
10
20
1
2.5
2.5
3
3
10
12
25
1
2.5
SINGLE READ – WITHOUT AUTO PRECHARGE
1
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CAS Latency
tOH
D
OUT
m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK(S)
BANK
ROW
ROW
BANK
tHZ
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
ACTIVE
NOP
READ
ACTIVE
NOP
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANKS
DON’T CARE
UNDEFINED
COLUMN
m
2
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
COMMAND
3
3
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