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参数资料
| 型号： | MT48V4M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件页数： | 48/61页 |
| 文件大小： | 1400K |
| 代理商： | MT48V4M32LFFC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页当前第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页
48
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
ADVANCE
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CAS Latency
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK
ROW
ROW
BANK
DON’T CARE
UNDEFINED
tHZ
tOH
D
OUT
m
tAC
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP3
READ
ACTIVE
NOP
NOP3
ACTIVE
NOP
tCKH
tCKS
COLUMN
m
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
NOP
NOP
NOTE:
1. For this example, the burst length = 1, and the CAS latency = 2.
2. x16: A9 and A11 = “Don’t Care”
x32: A8, A9,and A11 = “Don’t Care”
3. READ command not allowed else
t
RAS would be violated.
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
MIN
1
2.5
MAX
MIN
1
2.5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
7
8
19
22
1
1
2.5
48
80
20
20
2.5
50
100
20
20
120,000
120,000
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
MIN
MAX
7
8
19
MIN
MAX
7
8
22
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
10
20
1
2.5
2.5
3
3
10
12
25
1
2.5
SINGLE READ – WITH AUTO PRECHARGE
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