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参数资料
| 型号： | MT48V4M32LFFC |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件页数： | 51/61页 |
| 文件大小： | 1400K |
| 代理商： | MT48V4M32LFFC |
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51
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
ADVANCE
READ – DQM OPERATION
1
tCH
tCL
tCK
tRCD
CAS Latency
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMS
ROW
BANK
ROW
BANK
tAC
LZ
t
D
OUT
m
tHZ
tOH
D
OUT
m
+ 3
tHZ
D
OUT
m
+ 2
LZ
t
tCMH
COMMAND
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
tAC
tOH
tAC
tOH
tAH
tAS
tCMS
tCMH
tAH
tAS
tAH
tAS
tCKH
tCKS
ENABLE AUTO PRECHARGE
DISABLE AUTO PRECHARGE
COLUMN
m
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
DON’T CARE
UNDEFINED
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, and the CAS latency = 2.
2. x16: A9 and A11 = “Don’t Care”
x32: A8, A9,and A11 = “Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CKH
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
t
RCD
MIN
1
2.5
1
2.5
MAX
MIN
1
2.5
1
2.5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
7
8
19
22
1
1
2.5
20
2.5
20
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
MIN
MAX
7
8
19
MIN
MAX
7
8
22
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
10
20
2.5
3
3
10
12
25
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