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参数资料
| 型号： | V59C1G01808QALF19E |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, BGA68 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件页数： | 12/79页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | V59C1G01808QALF19E |
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V59C1G01(408/808/168)QA Rev. 1.3 June 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808/168)QA
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19
V
5 9
C
1
G 0180
8
Q
A
J
2 5
ORGANIZATION
ProMOS
& REFRESH
64Mx4, 8K : 25640
16Mx16, 8K : 25616
32Mx8, 8K : 25680
TEMPERATURE
128Mx4, 8K : 51240
32Mx16, 8K : 51216
BLANK:
0 - 85 C
64Mx8, 8K : 51280
I :
-40 - 85 C
TYPE
256Mx4, 8K : G0140
64Mx16, 8K : G0116
H :
-40 - 105 C
59 : DDR2
CMOS
128Mx8, 8K : G0180
E :
-40 - 125 C
SPEED
5 : 200MHz @CL3-3-3
VOLTAGE
BANKS
37 : 266MHz @CL4-4-4
1 :
1.8 V
4 : 4 BANKS
I/O
3 : 333MHz @CL5-5-5
8 : 8 BANKS
Q: SSTL_18
REV CODE
25 : 400MHz @CL5-5-5
25A : 400MHz @CL6-6-6
19 : 533MHz @CL6-6-6
19A : 533MHz @CL7-7-7
SPECIAL FEATURE
PACKAGE
L : LOW POWER GRADE
RoHS Green
PACKAGE
U : ULTRA LOW POWER GRADE
DESCRIPTION
F
J
FBGA
P
Die-stacked FBGA
*RoHS: Restriction of Hazardous Substances
*GREEN: RoHS-compliant and Halogen-Free
1Gb
Confi gura tion
256Mb x 4
128Mb x 8
64Mb x1 6
# of Bank
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A10/AP
Row Address
A0 ~ A13
A0 ~ A12
Column Address
A0 ~ A9,A11
A0 ~ A9
DDR Part Number
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V59C1G01808QALF37E | 128M X 8 DDR DRAM, BGA68 |
| V59C1G01808QAUF37H | 128M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QALP19A | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QAUF19AI | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QAUP19AH | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4E | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
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