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参数资料
| 型号： | V59C1G01808QALF19E |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, BGA68 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件页数： | 32/79页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | V59C1G01808QALF19E |
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V59C1G01(408/808/168)QA Rev. 1.3 June 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808/168)QA
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 4(AL = 1, CL = 3),BL = 4, tRTP <= 2 clocks
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 4(AL = 1, CL =3), BL =8, tRTP <= 2 clocks
NOP
Precharge
NOP
Bank A
Activate
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
NOP
AL + BL/2 clks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 1
CL = 3
RL = 4
>=tRAS
CL = 3
tRP
DQS,
DQS
NOP
>=tRC
>=tRTP
CK, CK
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
BR-P413(8)
NOP
AL + BL/2 clks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 1
CL = 3
RL = 4
>=tRAS
CL = 3
tRP
DQS,
DQS
NOP
>=tRC
>=tRTP
Dout A4
Dout A5
Dout A6
Dout A7
Precharge
NOP
Bank A
Activate
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
CK, CK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V59C1G01808QALF37E | 128M X 8 DDR DRAM, BGA68 |
| V59C1G01808QAUF37H | 128M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QALP19A | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QAUF19AI | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QAUP19AH | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4E | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
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