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参数资料
| 型号： | V59C1G01808QALF19E |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, BGA68 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件页数： | 48/79页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | V59C1G01808QALF19E |
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V59C1G01(408/808/168)QA Rev. 1.3 June 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808/168)QA
Active Power-Down Mode Entry and Exit after a Write Burst: WL = 2, tWTR = 2, BL = 4
Precharge Power Down Mode Entry and Exit
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.
NOP
WRITE
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
CMD
DQ
DQS,
DQS
NOP
Tn
Tn+1
CKE
WL = RL - 1 = 2
Active
Power-Down
Entry
WL + BL/2 + tWTR
NOP
Act.P
tWTR
tIS
Tn+2
tIS
Valid
Comman
Active
Power-Down
Exit
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
tXP
NOP
Precharge
*)
T0
T2
T1
CMD
NOP
Tn
Tn+1
CKE
Precharge
Power-Down
Entry
NOP
PrePD
tIS
Tn+2
tIS
Precharge
Power-Down
Exit
Valid
Command
tRP
NOP
T3
*) "Precharge" may be an external command or an internal
precharge following Write with AP.
CK, CK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V59C1G01808QALF37E | 128M X 8 DDR DRAM, BGA68 |
| V59C1G01808QAUF37H | 128M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QALP19A | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QAUF19AI | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
| V59C1512804QAUP19AH | 64M X 8 DDR DRAM, PBGA68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4E | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
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