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参数资料
| 型号： | NT5CB256M4AN-BF |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA78 |
| 封装： | 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANAT, WBGA-78 |
| 文件页数： | 5/106页 |
| 文件大小： | 2599K |
| 代理商： | NT5CB256M4AN-BF |
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1Gb DDR3 SDRAM A-Die
NT5CB256M4AN / NT5CB128M8AN / NT5CB64M16AP
102
REV 1.2
01 / 2009
Derating values DDR3-800/1066 tDS/tDH - ac/dc based
Derating values DDR3-1333/1600 tDS/tDH - ac/dc based
Required time tVAC above VIH(ac) {below VIL(ac)} for valid transition
Slew Rate [V/ns]
DDR3-800/1066
DDR3-1333/1600
min
max
min
max
>2.0
75
-
175
-
2
57
-
170
-
1.5
50
-
167
-
1
38
-
163
-
0.9
34
-
162
-
0.8
29
-
161
-
0.7
22
-
159
-
0.6
13
-
155
-
0.5
0
-
150
-
<0.5
0
-
150
-
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
2
88
50
88
50
88
50
-
1.5
59
34
59
34
59
34
67
42
-
1
0
8
16
-
0.9
-
-2
-4
-2
-4
6
4
14
12
22
20
-
0.8
-
-6
-10
2
-2
10
6
18
14
26
24
-
0.7
-
-3
-8
5
0
13
8
21
18
29
34
0.6
-
-1
-10
7
-2
15
8
23
24
0.5
-
-11
-16
-2
-6
5
10
0.4
-
-30
-26
-22
-10
DQS, DQS Differential Slew Rate
Delta tDS, Delta tDH derating in AC/DC based
2.0 V/ns
1.8 V/ns
1.6 V/ns
1.4 V/ns
1.0 V/ns
1.2 V/ns
D
Q
S
le
w
ra
te
(V
/n
s)
4.0 V/ns
3.0 V/ns
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
D tDS
D tDH
2
75
50
75
50
75
50
-
1.5
50
34
50
34
50
34
58
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-
1
0
8
16
-
0.9
-
0
-4
0
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-
0.8
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0
-10
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-
8
-8
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8
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-
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D
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4.0 V/ns
3.0 V/ns
DQS, DQS Differential Slew Rate
Delta tDS, Delta tDH derating in AC/DC based
2.0 V/ns
1.8 V/ns
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