参数资料
型号: FSBB15CH60C
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC
标准包装: 10
系列: SPM™
类型: IGBT
配置: 3 相
电流: 15A
电压: 600V
电压 - 隔离: 2500Vrms
封装/外壳: SPM27CC
产品目录页面: 1223 (CN2011-ZH PDF)
Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
2. Mini DIP SPM Product Outline
2.1 Ordering Information
FSBF10CH60B
None : V2 Mini DIP SPM
B : V4 Mini DIP SPM
( Full Molded Type)
C : V4 Mini DIP SPM
( DBC Type)
Voltage Rating ( x 10)
CH : Option for Motor Drives
Current Rating
B : DBC Base
F : Full Molded Type
B : Option for No-Thermistor
S : Divided Three Terminal
Fairchild Semiconductor
2.2 Product Line-Up
Table 2.1 Lineup of Mini DIP SPM Family
Rating
Isolation
Part Number
Current (A)
Voltage (V)
Package
DBC substrate
Voltage(Vrms)
Main Applications
FSBB30CH60C
30
600
(SPM27-EC)
Air Conditioner
FSBB20CH60C
20
2500Vrms
Washing Machine
FSBB20CH60CT
FSBB15CH60C
FSBB15CH60BT
FSBF15CH60BT
FSBF10CH60B
20
15
15
15
10
600
DBC substrate
(SPM27-CC)
Full Molded
Sinusoidal, 1min
2500 Vrms
Industrial Inverter
Air Conditioner
FSBF10CH60BT
FSBF5CH60B
FSBF3CH60B
10
5
3
600
(SPM27-JA)
Sinusoidal, 1min
Washing Machine
Refrigerator
2.3 Applications
Motor drive for household electric appliances, such as air conditioners, washing machines, refrigerators, dish
washers, and low power industrial applications as well.
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
10
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PDF描述
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参数描述
FSBB15CH60C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
FSBB15CH60F 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FSBB20CH60 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60B 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60BT 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: