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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 46/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
thermal impedance curves of FSBB30CH60C, FSBB15CH60C, FSBF10CH60B and FSBF3CH60B. The
thermal resistance goes into saturation in about 10 seconds. Other kinds of SPM also show similar
characteristics.
2.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
Z th(J-C)_IGBT
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
Z th(J-C)_FRD
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
3.0
Pulse Duration [sec]
(a) FSBB30CH60C
4.0
Pulse Duration [sec]
2.5
Z th(J-C)_IGBT
3.5
Z th(J-C)_FRD
3.0
2.0
2.5
1.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
7
Pulse Duration [sec]
(b) FSBB15CH60C
7
Pulse Duration [sec]
6
5
4
3
2
1
0
Z th(J-C)_IGBT
6
5
4
3
2
1
0
Z th(J-C)_FRD
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
? 2008
Pulse Duration [sec]
Pulse Duration [sec]
(c) FSBF10CH60B
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
46
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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