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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 16/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
3.2 Description of the input and output pins
Table 3.1 defines the Mini DIP SPM input and output pins. The detailed functional descriptions are as
follows:
Table 3.1 Pin descriptions
Pin Number
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
? 2008
Pin Name
V CC(L)
COM
IN (UL)
IN (VL)
IN (WL)
V FO
C FOD
C SC
IN (UH)
V CC(UH)
V B(U)
V S(U)
IN (VH)
V CC(VH)
V B(V)
V S(V)
IN (WH)
V CC(WH)
V B(W)
V S(W)
N U
N V
N W
U
V
W
P
Pin Description
Low-side Common Bias Voltage for IC and IGBTs Driving
Low-Side Common Supply Ground
Signal Input for Low-Side U Phase
Signal Input for Low-Side V Phase
Signal Input for Low-Side W Phase
Fault Output
Capacitor for Fault-output Duration Time Selection
Capacitor (Low-pass Filter) for Short-Current Detection Input
Signal Input for High-side U phase
High-Side Bias Voltage for U Phase IC
High-Side Bias Voltage for U Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for U Phase IGBT Driving
Signal Input for High-side V phase
High-Side Bias Voltage for V Phase IC
High-Side Bias Voltage for V Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for V Phase IGBT Driving
Signal Input for High-side W phase
High-Side Bias Voltage for W Phase IC
High-Side Bias Voltage for W Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for W Phase IGBT Driving
Negative DC-Link Input for U Phase
Negative DC-Link Input for V Phase
Negative DC-Link Input for W Phase
Output for U Phase
Output for V Phase
Output for W Phase
Positive DC-Link Input
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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