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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
7.3.1 Timing chart of Short Circuit (SC) Protection ........................................................................... 32
7.3.2 Selecting Current Sensing Shunt Resistor ................................................................................ 33
7.4 Fault Output Circuit ........................................................................................................................... 36
7.5 TSD (Thermal Shut-Down) Protection .............................................................................................. 37
8.
Bootstrap Circuit .................................................................................. 37
8.1 Operation of Bootstrap Circuit ......................................................................................................... 37
8.2 Initial Charging of Bootstrap Capacitor ........................................................................................... 38
8.3 Selection of a Bootstrap Capacitor .................................................................................................. 38
8.4 Built in Bootstrap Diode including around 15 ? Resistance characteristics ................................. 39
8.5 Charging and Discharging of the Bootstrap Capacitor during PWM-Inverter Operation ............. 40
8.6 Recommended Boot Strap Operation Circuit and Parameters ...................................................... 41
9.
Power Loss and Dissipation ............................................................... 42
9.1 Power Loss of SPM ........................................................................................................................... 42
9.1.1 Conduction Loss ......................................................................................................................... 42
9.1.2 Switching Loss ............................................................................................................................ 43
9.2 Thermal Impedance ........................................................................................................................... 44
9.2.1 Overview ...................................................................................................................................... 44
9.2.2 Measurement Method .................................................................................................................. 47
9.2.3 Measurement Procedures ........................................................................................................... 48
9.3 Temperature Rise Considerations and Calculation Example......................................................... 51
9.4 Heat Sink Design Guide .................................................................................................................... 52
10. Package ................................................................................................ 56
10.1 Heat Sink Mounting ......................................................................................................................... 56
10.2 Handling Precaution ........................................................................................................................ 57
10.3 Marking Specifications .................................................................................................................... 59
10.4 Packaging Specifications................................................................................................................ 61
NOTE:
In this and other Fairchild documentation and collateral, the following terms are interchangeable:
DIP = SPM2, Mini-DIP = SPM3, Tiny-DIP = SPM5, and μMini-DIP = SPM45H.
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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