- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录624 > FSBB15CH60C (Fairchild Semiconductor)IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 35/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页当前第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页
Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
15V-Line
Mini DIP SPM
Other phases
sensing block
V CC
I Leakage = 500nA
R F1
+ V F
-
R F2
C SC
+
+
R shunt
V SEN
-
C F1
V CSC C SC
-
R CSC
COM
Figure 7.5 Example of Short Circuit protection circuit with 3-shunt resistor
The 3-shunt resistor circuit is more complicated and has more considerations than the 1-shunt resistor
circuit. The 3-shunt circuit is popular since it permits detection of individual phase currents. The circuit is very
cost effective, simple and provides good current sensing performance.
Figure 7.5 shows typical circuit for short-circuit detection using diodes. It should be noted that this
circuit is not adequate for the precise over-current detection due to dispersion and temperature dependency
of V F . Also, there are additional considerations when using this circuit as follows :
1.
2.
3.
? 2008
The SC sensing signal delay time is increased. The R F1 x C F1 time constant delay (t4) is
added so the total delay time becomes:
T TOTAL = t1 + t2 + t3 + t4
The added diode blocks the IC leakage current (approximately 500nA) from Csc pin. If this
current is applied to the capacitor Csc, the Vcsc will be increased to a somewhat higher
value and causes SPM to stop gating even under normal conditions. In order to compensate
for this corruption of SC current sensing voltage, Rcsc must be placed in parallel with Csc.
The recommended value of Rcsc is approximately 47k ? .
For the short circuit state, the diode drop voltage has to be considered to set the SC
protection reference level. The equation is as illustrated below.
V SEN = Vcsc + V F
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。